[发明专利]一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片在审
| 申请号： | 201410835172.0 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104499050A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 钟德京;万跃鹏;张涛;胡动力;傅志斌;简晖;高建廷;邹军;陈志强 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：(1)在坩埚内填装硅料后，加热使所述硅料熔化形成硅液，调整热场，达到过冷状态，使硅液在所述坩埚上进行形核结晶，该形核结晶过程为第一结晶阶段；(2)待长出目标高度晶体后，向所述目标高度晶体表面即未结晶硅液和目标高度晶体的固液界面处放置形核材料，使第一结晶阶段停止；或预先在目标高度处放置形核材料，待晶体长到所述目标高度得到目标高度晶体后，使第一结晶阶段停止；维持步骤(1)的过冷状态，所述未结晶的硅液利用所述形核材料再形核结晶，所述再形核结晶过程为后续结晶阶段；(3)待全部硅液结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。本发明制备方法简单，制得的多晶硅锭位错少。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 及其 制备 方法 硅片 | ||
【主权项】：
一种多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在坩埚内填装硅料后，加热使所述硅料熔化形成硅液，调整热场，达到过冷状态，使硅液在所述坩埚上进行形核结晶，该形核结晶过程为第一结晶阶段；(2)待长出目标高度晶体后，向所述目标高度晶体表面即未结晶硅液和目标高度晶体的固液界面处放置形核材料，使第一结晶阶段停止；或预先在目标高度处放置形核材料，待晶体长到所述目标高度得到目标高度晶体后，使第一结晶阶段停止；维持步骤(1)的过冷状态，所述未结晶的硅液利用所述形核材料再形核结晶，所述再形核结晶过程为后续结晶阶段；(3)待全部硅液结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。
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