[发明专利]低方阻透明导电薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201410835617.5 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104700928A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 徐厚嘉;林晓辉;平财明;张永杰 | 申请（专利权）人： | 上海蓝沛新材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201262 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低方阻透明导电薄膜及其制备方法，其中，所述低方阻导电薄膜至少包括：透明基材；位于所述透明基材上的具有沟槽的粘接层；位于所述沟槽内的金属化物质；位于所述粘接层及所述金属化物质上的高分子导电层。本发明的低方阻透明导电薄膜，结构简单，环保高效，且成本较低，方阻可低至10Ω/□以下，导电性、调色更均匀，可广泛应用在触控式面板、液晶显示器、太阳能电池、LED等屏幕显示领域，也可应用于电磁波屏蔽材料中。本发明的低方阻透明导电薄膜的制备方法，工艺简单，成本较低，且制备得到的透明导电薄膜的方阻更低，导电性、调色更均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 低方阻 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低方阻透明导电薄膜，其特征在于，所述低方阻导电薄膜至少包括：透明基材；位于所述透明基材上的具有沟槽的粘接层；位于所述沟槽内的金属化物质；位于所述粘接层及所述金属化物质上的高分子导电层。
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