[发明专利]存储器芯片扰码验证方法有效
| 申请号： | 201410835915.4 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104700903B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 马香柏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器芯片扰码验证方法，包含如下步骤：第一步，选取封装好的样品芯片，根据芯片厚度大小将样品芯片从背面开始研磨；第二步，采用化学腐蚀的方式继续腐蚀样品芯片背面；第三步，对存储区域进行物理损伤并记录物理损伤的物理地址；第四步，对样品芯片背面加保护盖，转移至手动测试机台进行手动测试；第五步，选取2～20颗样品芯片，重复以上步骤，每颗样品芯片测试存储区域的不同位置，找出失效的电学地址，并结合第三步的物理地址计算出物理地址与电学地址之间的对应关系。 | ||
| 搜索关键词： | 样品芯片 物理地址 背面 存储器芯片 手动测试 物理损伤 电学 扰码 机台 验证 测试存储区域 存储区域 化学腐蚀 研磨 保护盖 封装 芯片 腐蚀 重复 记录 | ||
【主权项】：
1.一种存储器芯片扰码验证方法，其特征在于：包含如下步骤：第一步，选取样品芯片，将样品芯片从背面开始研磨；根据样品芯片厚度的大小，背面研磨5～100µm,保留2～20µm；第二步，采用化学腐蚀的方式继续腐蚀样品芯片背面，腐蚀至绝缘隔离层露出；第三步，对存储区域进行物理损伤；第四步，对样品芯片背面加保护盖，转移至手动测试机台进行手动测试；第五步，选取多颗样品芯片，重复以上步骤。
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