[发明专利]一种低温漂大功率电阻及其制备方法有效
| 申请号： | 201410836614.3 | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN105788785B | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 李迪伽;元金皓 | 申请（专利权）人： | 深圳市振华微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C17/065 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明适用于电子器件制造领域，提供了一种低温漂大功率电阻及其制备方法，该电阻包括两引脚、基板、在基板上形成的两引脚导体、以及在基板上形成的第一子电阻；第一子电阻为矩形，其两短边分别与两引脚导体连接，且第一子电阻由具有第一厚度的电阻浆料膜完全覆盖在第一电阻区域以及具有第二厚度的电阻浆料膜部分叠加覆盖在具有第一厚度的电阻浆料膜上形成；引脚通过浸锡与引脚导体对应连接。本发明通过改进厚膜印刷工艺流程，调整电阻印刷膜层厚度，通过不同膜厚区域比例改善电阻在全温度范围内(‑55℃～125℃)的温度特性，使电阻的温度特性远远小于市场现有产品，而且温度应用范围广，能够满足用户装机使用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 大功率 电阻 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低温漂大功率电阻，其特征在于，所述电阻包括：两引脚、基板、在所述基板上形成的两引脚导体、以及在所述基板上形成的第一子电阻；所述第一子电阻为矩形，其两短边分别与两引脚导体连接，且所述第一子电阻由具有第一厚度的电阻浆料膜完全覆盖在第一电阻区域以及具有第二厚度的电阻浆料膜部分叠加覆盖在具有第一厚度的电阻浆料膜上形成；所述第一子电阻具有不同膜厚区域比例；所述引脚通过浸锡与所述引脚导体对应连接；通过改进厚膜印刷工艺流程，调整电阻印刷膜层厚度，通过不同膜厚区域比例改善电阻在全温度范围内的温度特性，其中，所述全温度范围为负55摄氏度至125摄氏度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市振华微电子有限公司，未经深圳市振华微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410836614.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
