[发明专利]一种共模差模电流抑制电路在审

专利信息
申请号: 201410836868.5 申请日: 2014-12-29
公开(公告)号: CN104883047A 公开(公告)日: 2015-09-02
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 余姚亿威电子科技有限公司
主分类号: H02M1/44 分类号: H02M1/44
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 315400 浙江省宁波市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种共模差模电流抑制电路,其中互补对称的第一场效应管和第二场效应管组成的推挽电路构成并联补偿电路,由共模变压器第三绕组上感应出共模电流,经过采样电阻R变换成相应的共模电压以便于智能控制单元进行处理,控制由第一场效应管和第二场效应管所组成的推挽补偿电路产生与共模电流源大小相等方向相反的补偿电流,再经过第三电容和第四电容反馈到电路中达到抑制共模电流的目的,第六电容用于抑制差模电流。本发明减小了硬件电路体积,灵活性好,滤波能力强。
搜索关键词: 一种 共模差模 电流 抑制 电路
【主权项】:
一种共模差模电流抑制电路,其特征在于:包括共模变压器(L),采样电阻(R),智能控制单元MCU,第一场效应管(Q1),第二场效应管(Q2),第一电容(Cy1),第二电容(Cy2),第三电容(C1),第四电容(C2),第五电容(C0),第六电容(CX),输入正端(Vin+),输入负端(Vin‑),输出正端(Vout+),输出负端(Vout‑)和直流稳压电压源(VC);所述第一电容(Cy1)一端接输入正端(Vin+)和共模变压器(L)同名端,另一端接地;第二电容(Cy2)一端接输入负端(Vin‑)和共模变压器(L)同名端,另一端接地;采样电阻(R)接共模变压器(L)一绕组两端,第一场效应管(Q1)栅极接第二场效应管(Q2)栅极并接入智能控制单元MCU,第一场效应管(Q1)源极接第二场效应管(Q2)源极并接入智能控制单元MCU;第五电容(C0)一端接第一场效应管(Q1)源极,另一端接地;直流稳压电压源(VC)正极接第一场效应管(Q1)漏极,直流稳压电压源(VC)负极接第二场效应管(Q2)漏极;第三电容(C1)一端接输出正端(Vout+),另一端接直流稳压电压源(VC)正极;第四电容(C2)一端接输出负端(Vout‑),另一端接第二场效应管(Q2)漏极;第六电容(CX)一端接输出负端(Vout‑),另一端接输出正端(Vout+);所述的共模变压器(L)共有3个绕组,分别为第一绕组、第二绕组和第三绕组;所述的共模变压器(L)第一绕组、第二绕组接入电路中,其中第一绕组第一端(1A)接输入正端(Vin+),第二端(1B)接输出正端(Vout+);第二绕组第一端(2A)接输入负端(Vin‑),第二端(2B)接输出负端(Vout‑);第三绕组第一端(3A)接采样电阻(R)一端,第二端(3B)接采样电阻(R)另一端;采样电阻(R)感应出共模电流,经过变换成相应的共模电压以便于智能控制单元MCU进行处理;所述的共模变压器的第一绕组的第一端(1A)和第二绕组的第一端(2A)以及第三绕组的第一端(3A)是同名端;所述的第一场效应管(Q1)是PNP结构,第二场效应管(Q2)是NPN结构,且第一场效应管(Q1)和第二场效应管(Q2)开关性能一致组成推挽补偿电路;所述的第六电容(CX)是差模抑制电容。
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