[发明专利]一种浮栅及其制作方法有效
| 申请号： | 201410836980.9 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105789035B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 刘钊;熊涛;许毅胜;舒清明 | 申请（专利权）人： | 上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬;邓猛烈 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种浮栅及其制作方法。该制作方法可以包括：提供衬底，并在衬底上依次形成浅沟槽氧化层和浮栅层；对浮栅层进行化学机械研磨处理，以去除浅沟槽氧化层上的浮栅；对剩下的浮栅层进行回刻蚀处理，得到具有稳定表面织构的浮栅层；对浅沟槽氧化层进行刻蚀处理，并在刻蚀处理后的浅沟槽氧化层和具有稳定表面织构的浮栅层上形成绝缘层；在绝缘层上形成控制栅层。该方法通过去除浮栅表面因为化学机械研磨而产生的表面缺陷，提高了浮栅层的表面稳定性，即提高了浮栅上表面层的激活能，使随后形成的绝缘层可以与浮栅层有良好的接触，改善了浮栅器件的电子保持性，提高了浮栅器件的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种浮栅的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，并在所述衬底上依次形成浅沟槽氧化层和浮栅层；对所述浮栅层进行化学机械研磨处理，以去除浅沟槽氧化层上的浮栅；对剩下的浮栅层进行回刻蚀处理，得到具有稳定表面织构的浮栅层；对所述浅沟槽氧化层进行刻蚀处理，并在刻蚀处理后的浅沟槽氧化层和具有稳定表面织构的浮栅层上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成控制栅层；所述具有稳定表面织构的浮栅层的表面形成有台阶状结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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