[发明专利]一种闪存存储单元及制作方法

摘要

本发明公开了一种闪存存储单元及制作方法，其中方法包括：于衬底中通过制备浅沟槽隔离以隔离出有源区，有源区上依次生长有遂穿氧化层和氮化硅结构；对氮化硅结构进行减宽处理，以形成减宽后的氮化硅结构和减宽区域；于减宽区域内制备第一多晶硅结构；填充浅沟槽隔离；剥离减宽后的氮化硅结构，以形成沟槽；于沟槽内生长第二多晶硅结构，第二多晶硅结构与第一多晶硅结构形成正梯形浮栅；对浅沟槽隔离进行刻蚀；于浅沟槽隔离的表面和正梯形浮栅的侧壁及表面上制备氧化硅阻挡层；于氧化硅阻挡层之上制备控制栅。本发明的有益效果为：降低了浮栅器件的功耗，提高了闪存存储器的擦写速度和可靠性。

主权项

1.一种闪存存储单元制作方法，其特征在于，包括：于衬底中通过制备浅沟槽隔离以隔离出有源区，所述有源区上依次生长有遂穿氧化层和氮化硅结构；对所述氮化硅结构进行减宽处理，以形成减宽后的氮化硅结构和减宽区域；于所述减宽区域内制备第一多晶硅结构，所述第一多晶硅结构为上窄下宽的多晶硅结构；对所述浅沟槽隔离进行填充并进行化学机械抛光处理，以使所述浅沟槽隔离的表面与所述减宽后的氮化硅结构的上表面位于同一平面；剥离所述减宽后的氮化硅结构，以形成沟槽；于所述沟槽内生长第二多晶硅结构，所述第二多晶硅结构与所述第一多晶硅结构形成正梯形浮栅；对所述浅沟槽隔离进行刻蚀，以使所述浅沟槽隔离的表面位于所述正梯形浮栅的上表面和下表面之间；于所述浅沟槽隔离的表面和所述正梯形浮栅的侧壁及表面上制备氧化硅阻挡层；于所述氧化硅阻挡层之上制备控制栅。