[发明专利]一种浮栅的制作方法有效
| 申请号： | 201410838153.3 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105789276B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 刘钊;熊涛;许毅胜;舒清明 | 申请（专利权）人： | 上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬;邓猛烈 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种浮栅的制作方法。该制作方法包括：在衬底上依次形成栅氧化层和栅介质层；依次对栅介质层、栅氧化层和衬底进行图像化处理，形成有源区和浅沟槽隔离区；在浅沟槽隔离区上形成浅沟槽氧化层，填充所述浅沟槽隔离区；依次剥离栅介质层和栅氧化层；对浅沟槽氧化层进行回刻蚀处理，去除与有源区侧壁对应的部分浅沟槽氧化层；在有源区上形成隧穿氧化层和离子注入层；在离子注入层和隧穿氧化层上形成栅极。该方法增加了有源区的表面积，即增加了栅极与有源区之间的接触面积，提高了浮栅与有源区之间的耦合电容，提高了浮栅器件的存储单元的电流密度，改善了浮栅器件的开关特性，降低了浮栅器件的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种浮栅制作方法，其特征在于，包括：在衬底上依次形成栅氧化层和栅介质层；依次对所述栅介质层、所述栅氧化层和所述衬底进行图像化处理，形成有源区和浅沟槽隔离区；在所述浅沟槽隔离区上形成浅沟槽氧化层，填充所述浅沟槽隔离区；依次剥离所述栅介质层和所述栅氧化层；对所述浅沟槽氧化层进行回刻蚀处理，去除与有源区侧壁对应的部分浅沟槽氧化层；在所述有源区上形成隧穿氧化层和离子注入层；在所述离子注入层和所述隧穿氧化层上形成栅极。
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