[发明专利]一种闪存存储单元及制作方法

摘要

本发明公开了一种闪存存储单元及制作方法，其中方法包括：于衬底中通过制备浅沟槽隔离以隔离出有源区，有源区上依次制备有遂穿氧化层和多个沟槽；于多个沟槽的侧壁和底部制备U形浮栅，U型浮栅的表面与多个沟槽的表面位于同一平面；对浅沟槽隔离进行刻蚀，以使浅沟槽隔离的表面位于U型浮栅的上表面和下表面之间；于U型浮栅暴露出的表面以及浅沟槽隔离的表面上制备氧化硅-氮化硅-氧化硅阻挡层；于氧化硅阻挡层之上制备控制栅。本发明的有益效果是通过制作一种U形浮栅，增加了控制栅表面与浮栅表面的接触面积，进而增加了控制栅与浮栅之间的耦合电容，改善了浮栅器件的开关特性和降低了浮栅器件的功耗，提高了闪存存储器的擦写速度和可靠性。

主权项

一种闪存存储单元制作方法，其特征在于，包括：于衬底中通过制备浅沟槽隔离以隔离出有源区，所述有源区上依次制备有遂穿氧化层和多个沟槽；于所述多个沟槽的侧壁和底部制备U形浮栅，所述U型浮栅的表面与所述多个沟槽的表面位于同一平面；对所述浅沟槽隔离进行刻蚀，以使所述浅沟槽隔离的表面位于所述U型浮栅的上表面和下表面之间；于所述U型浮栅暴露出的表面以及所述浅沟槽隔离的表面上制备氧化硅阻挡层；于所述氧化硅阻挡层之上制备控制栅。