[发明专利]用于LED外延晶圆制程的石墨承载盘有效
申请号: | 201410838373.6 | 申请日: | 2014-12-30 |
公开(公告)号: | CN104409402B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 郑锦坚;寻飞林;邓和清;李志明;杜伟华;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361009 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于LED外延晶圆制程的石墨承载盘,包括若干个设置在承载盘上方的晶圆凹槽,用于置放外延晶圆衬底,其特征在于:所述承载盘的中心区域上设置有凸部结构,能够减小外延生长过程中的承载盘中心区域的涡流面积,改善内圈的外延晶圆朝向承载盘轴中心的局部区域发光强度偏低的问题,从而改善内圈的亮度均匀性,提升内外圈外延片的亮度整体均匀性。 1 | ||
搜索关键词: | 承载盘 晶圆 中心区域 石墨 内圈 制程 外延生长过程 涡流 亮度均匀性 晶圆凹槽 局部区域 凸部结构 均匀性 内外圈 外延片 衬底 减小 置放 | ||
【主权项】:
1.用于LED外延晶圆制程的石墨承载盘,包括若干个设置在承载盘上方的晶圆凹槽,用于置放外延晶圆衬底,其特征在于:所述承载盘的中心区域上设置有半球状或曲面状或三角锥状凸部结构,其中心高边缘低,沿承载盘中心呈轴对称,作为导流层,用于改善中心位置的涡流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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