[发明专利]器件、磁传感器器件以及方法有效
| 申请号： | 201410838472.4 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104749536B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | J·齐默;A·萨茨;W·拉伯格;H·布吕克尔;D·休斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及器件、磁传感器器件以及方法。其中，根据实施例的一种器件可以包括：磁阻结构，包括具有自发生成的平面内闭合通量磁化图案的磁自由层和具有非闭合通量磁化图案的磁参考层。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 传感器 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器器件，包括：/n磁阻结构，包括具有自发生成的平面内闭合通量磁化图案的磁自由层和具有非闭合通量磁化图案的磁参考层，所述平面内闭合通量磁化图案的核心被配置为基于外部磁场在所述闭合通量磁化图案内在第一方向上偏移，其中所述外部磁场处于与所述第一方向垂直的第二方向上；以及/n电接触结构，用于电接触所述磁阻结构，其中所述电接触结构包括与所述磁自由层的重叠，所述重叠最大为完全包括所述磁自由层的圆形的最小半径的30％。/n
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