[发明专利]非挥发性存储器的制造方法

摘要

本发明公开一种非挥发性存储器的制造方法。提供包括第一区与第二区的基底，并对第一区进行第一图案化步骤以在第一区中形成多个栅极堆叠结构。之后，形成覆盖每一栅极堆叠结构的侧壁与上表面的第一侧壁氧化层，并于第一侧壁氧化层上形成保护层。接着，对第二区进行离子注入制作工艺，再对第二区进行第二图案化步骤以在第二区中形成多个栅极结构。然后，形成覆盖每一栅极结构的侧壁的第二侧壁氧化层。

主权项

1.一种非挥发性存储器的制造方法，包括：提供一基底，该基底包括一第一区与一第二区；对该第一区进行一第一图案化步骤以在该第一区中形成多个栅极堆叠结构，形成该些栅极堆叠结构之后，形成一第一侧壁氧化层，以覆盖每一栅极堆叠结构的侧壁与上表面；形成该第一侧壁氧化层之后，在该第一侧壁氧化层上形成一第一高温沉积层；形成第一高温沉积层之后，在该第一高温沉积层上形成一保护层；形成该保护层之后，对该第二区进行一离子注入制作工艺；对该第二区进行该离子注入制作工艺之后，在该第二区中形成一栅极材料层；在该第二区中形成该栅极材料层之后，移除该第一区中的该保护层，以裸露出下方的该第一高温沉积层；蚀刻该第一高温沉积层，以在覆盖有该第一侧壁氧化层的该些栅极堆叠结构的侧壁形成一第一间隙壁，并裸露出覆盖于该些栅极堆叠结构上表面的部分该第一侧壁氧化层；形成该第一间隙壁之后，对该第二区进行一第二图案化步骤以在该第二区中形成多个栅极结构；以及形成一第二侧壁氧化层，以覆盖每一栅极结构的侧壁。