[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201410839667.0 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105810743B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 方国龙;高逸群;施博理;李志隆;林欣桦 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管，包括栅极、栅极绝缘层、通道层、源极以及漏极。所述栅极绝缘层覆盖所述栅极。所述通道层设置于所述栅极绝缘层上与所述栅极相对应的位置。所述源极与漏极形成在所述栅极绝缘层与所述通道层上且分别覆盖所述通道层的两端。所述通道层包括第二导电率区域与二第一导电率区域。所述二第一导电率区域未被所述源极或漏极覆盖并分别位于所述通道层邻近所述源极与漏极的位置。所述第二导电率区域位于所述第一导电率区域的两侧。所述第一导电率区域的导电率低于所述第二导电率区域的导电率。本发明还提供所述薄膜晶体管的制作方法。本发明所提供的薄膜晶体管及其制作方法能够形成没有刻蚀阻挡层的薄膜晶体管，降低薄膜晶体管的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、通道层、源极以及漏极，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极，所述通道层设置于所述栅极绝缘层上与所述栅极相对应的位置，所述源极与漏极形成在所述栅极绝缘层与所述通道层上且分别覆盖所述通道层的两端，其特征在于，所述通道层包括三个第二导电率区域与两个第一导电率区域，所述两个第一导电率区域未被所述源极或漏极覆盖并分别位于所述通道层邻近所述源极与漏极的位置，所述三个第二导电率区域包括所述通道层被所述源极与漏极覆盖的两个区域以及所述通道层位于所述两个第一导电率区域之间的区域，两个第一导电率区域的导电率相同，三个第二导电率区域的导电率相同，所述第一导电率区域的导电率低于所述第二导电率区域的导电率。
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