[发明专利]栅氧化层失效分析方法有效
| 申请号： | 201410840409.4 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105784743B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 高保林;王倩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/04 | 分类号： | G01N23/04 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种栅氧化层失效分析方法，通过采用具有一定能量的离子束对已经制备好的TEM样品进行轰击，使得TEM样品中的Poly非晶化，从而不会在透射电子显微镜中呈现出Poly的晶格衬度，而重金属的衬度依然保留，从而可以在透射电子显微镜下明确观察到重金属污染的位置并顺利地进行元素分析，进而有效的提高栅氧化层失效分析的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 失效 分析 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅氧化层失效分析方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一包含有栅氧化层和覆盖该栅氧化层表面的多晶硅栅的待测半导体器件，且该栅氧化层和多晶硅栅之间具有重金属污染；将所述待测半导体器件上有重金属污染的区域制备成TEM样品；采用离子束对所述TEM样品进行轰击，以使得所述TEM样品中的多晶硅栅非晶化；继续对所述TEM样品进行栅氧化层失效分析。
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