[发明专利]一种用位图叠加制备二次微曲面结构的方法有效
| 申请号： | 201410840455.4 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104599940A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 顾长志;姜倩晴;唐成春;李无瑕;金爱子;李俊杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/027;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是一种用位图叠加制备二次微曲面结构的方法，包括步骤如下：步骤S1：对待加工样品的表面做预处理；步骤S2：将待加工样品粘到聚焦电子/离子束双束系统的样品托上；步骤S3：将粘好待加工样品的样品托固定到聚焦电子/离子束双束系统的样品架上，对样品腔室抽真空；在聚焦电子/离子束双束系统的电子束下将待加工样品表面需要加工二次微曲面结构的位置调整到聚焦电子束与离子束共轴的位置；步骤S4：在合适的聚焦离子束系统成像放大倍数下，选择离子束加速电压与刻蚀束流大小，在待加工样品上需要进行二次微曲面结构加工的位置，按照设定刻蚀图形文件刻蚀加工二次微曲面结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 位图 叠加 制备 二次 曲面 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种用位图叠加制备二次微曲面结构的方法，包括步骤如下：步骤S1：对待加工样品的表面做预处理；步骤S2：将待加工样品粘到聚焦电子/离子束双束系统的样品托上；步骤S3：将粘好待加工样品的样品托固定到聚焦电子/离子束双束系统的样品架上，对样品腔室抽真空；在聚焦电子/离子束双束系统的电子束下将待加工样品表面需要加工二次微曲面结构的位置调整到聚焦电子束与离子束共轴的位置；步骤S4：在合适的聚焦离子束系统成像放大倍数下，选择离子束加速电压与刻蚀束流大小，在待加工样品上需要进行二次微曲面结构加工的位置，按照设定刻蚀图形文件刻蚀加工二次微曲面结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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