[发明专利]阵列基板及其制作方法、和显示装置有效
| 申请号： | 201410841072.9 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104538402B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 暴军萍;李兴华 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;H01L29/786;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 孙纪泉 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种阵列基板及其制作方法、和包括这种阵列基板的显示装置。阵列基板包括基板；多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜包括沿第一方向延伸的多个平行布置的主晶界；以及多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管的有源层由所述多晶硅薄膜形成，每个薄膜晶体管包括至少一个沟道区域，穿过每个沟道区域的主晶界的数量相等。通过使穿过每个薄膜晶体管的沟道区域的主晶界的数量相等，使得主晶界对各薄膜晶体管的电子迁移率的影响基本上相同，进而降低各个薄膜晶体管的性能差异，提高性能的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，包括：基板；多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜包括沿第一方向延伸的多个平行布置的主晶界；以及多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管的有源层由所述多晶硅薄膜形成，每个薄膜晶体管包括至少一个沟道区域，穿过每个沟道区域的主晶界的数量相等；其中，所述沟道区域中的沟道电流方向相对于所述主晶界的延伸方向倾斜，倾斜的角度在35度‑55度或者125度‑145度的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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