[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置在审
| 申请号： | 201410841860.8 | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN104505405A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 姚琪;张锋;曹占锋;何晓龙;李正亮 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可不增加构图工艺次数，有效阻止源漏极的刻蚀工艺对氧化物半导体有源层产生影响。该制备方法包括形成氧化物半导体有源层；通过图案转移工艺，将形成有源漏金属层的石墨烯层转移至氧化物半导体有源层上；通过构图工艺，在石墨烯层上形成源漏极；通过灰化工艺，去除源极和漏极之间相对区域的石墨烯层，形成第一石墨烯保留层和第二石墨烯保留层。用于薄膜晶体管及包含该薄膜晶体管的阵列基板的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，包括形成氧化物半导体有源层；其特征在于，还包括，通过图案转移工艺，将形成有源漏金属层的石墨烯层转移至所述氧化物半导体有源层上，且所述石墨烯层与所述氧化物半导体有源层直接接触；通过构图工艺，在所述石墨烯层上形成源极和漏极；通过灰化工艺，去除所述源极和所述漏极之间相对区域的所述石墨烯层，形成分别位于所述源极和所述漏极下的第一石墨烯保留层和第二石墨烯保留层。
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