[发明专利]一种形成石墨烯互连线的方法

摘要

本发明提供一种形成石墨烯互连线的方法，其包括以下步骤：提供目标衬底；接着在目标衬底上形成均匀且厚度可控的碳源层；在碳源层上淀积金属催化层；然后在预设温度下采用退火工艺将淀积的碳源层转化为石墨烯层；随后去除金属催化层；最后采用光刻和刻蚀工艺对石墨烯层图案化，以形成石墨烯互连线。本发明提供的一种形成石墨烯互连线的方法，能够直接在目标衬底上制备出预设厚度的石墨烯互连线，无需额外的石墨烯转移工艺，解决了现有技术中石墨烯薄膜易损伤的问题，方法简单，与传统CMOS工艺相兼容，有利于石墨烯技术发展和应用。

主权项

1.一种形成石墨烯互连线的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一目标衬底；所述目标衬底还包括制作在所述目标衬底之上的包含晶体管在内的器件层以及铜互连结构；步骤S02：在所述目标衬底上形成均匀且厚度可控的碳源层，所述碳源层采用的制备方法为原子层淀积法或者化学气相沉积法，其中，所述碳源层为无定型碳；步骤S03：在所述碳源层上淀积金属催化层；步骤S04：对所述金属催化层、碳源层以及目标衬底进行退火工艺，以使所述碳源层在所述金属催化层的作用下完全转变成石墨烯层；步骤S05：去除所述金属催化层；步骤S06：对所述石墨烯层进行光刻和刻蚀工艺，在所述目标衬底上形成石墨烯互连线。