[发明专利]OTP器件的结构和制作方法

摘要

本发明公开了一种OTP器件的制作方法，步骤包括：1)用常规工艺在衬底上形成阱、源、漏、浅沟槽隔离、栅氧、选择栅、浮栅、栅极多晶硅、侧墙；2)淀积等离子增强‑四乙氧基硅烷膜，通过光刻和刻蚀把硅化阻挡层以外区域的等离子增强‑四乙氧基硅烷膜刻掉；3)进行钴化金属工艺，在硅露出区域形成钴化金属；4)再次淀积等离子增强‑四乙氧基硅烷膜，形成浮栅数据存储保护膜；5)淀积层间介质膜，化学机械研磨，光刻和刻蚀形成接触孔。本发明还公开了用上述方法制作的OTP器件的结构。发明通过对浮栅和选择栅都采用自对准多晶硅化物工艺，扩大了硅化阻挡层光刻工艺的窗口，同时降低了成本。

主权项

1.OTP器件的制作方法，所述OTP器件的硅化阻挡层最小间隔不小于0.42μm，其特征在于，步骤包括：1)用常规工艺在衬底上形成阱、源、漏、浅沟槽隔离、栅氧、选择栅、浮栅、栅极多晶硅和侧墙；2)在步骤1)的基础上淀积等离子增强‑四乙氧基硅烷膜，通过I‑line光刻机光刻和刻蚀把硅化阻挡层以外区域的等离子增强‑四乙氧基硅烷膜刻蚀掉；3)在步骤2)的基础上进行钴化金属工艺，在硅露出区域形成钴化金属；4)在步骤3)的基础上再次淀积等离子增强‑四乙氧基硅烷膜，形成浮栅数据存储保护膜，且使等离子增强‑四乙氧基硅烷膜覆盖衬底上的整个区域；5)在步骤4)的基础上淀积层间介质膜，化学机械研磨，用I‑line光刻机进行光刻和刻蚀形成接触孔。