[发明专利]半导体装置键合结构及其键合方法有效
| 申请号： | 201410842378.6 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN105810649B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 赵立新 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王刚 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置键合结构及其键合方法，所述键合结构包括：第一金属层，所述第一金属层表面具有第一焊垫，所述第一焊垫具有第一开口图案；第二金属层，所述第二金属层表面具有第二焊垫，所述第二焊垫具有第二开口图案；所述第一金属层和所述第二金属层表面键合连接，所述第一焊垫和相对应的第二焊垫上下对齐键合连接，所述第一焊垫的第一开口图案和所述第二焊垫的第二开口图案在键合接触面相互错开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置键合结构，其特征在于，所述半导体装置键合结构包括：第一金属层，所述第一金属层表面具有第一焊垫，所述第一焊垫具有第一开口图案；第二金属层，所述第二金属层表面具有第二焊垫，所述第二焊垫具有第二开口图案；所述第一金属层和所述第二金属层表面键合连接，所述第一焊垫和相对应的第二焊垫上下对齐键合连接，所述第一焊垫的第一开口图案和所述第二焊垫的第二开口图案在键合接触面相互错开。
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