[发明专利]一种用于离子注入的激光辅助装置及离子注入方法有效
申请号: | 201410842399.8 | 申请日: | 2014-12-30 |
公开(公告)号: | CN105810572B | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 赵迎春;崔志国;熊敏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;B23K26/06;H01L21/268 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于离子注入的激光辅助装置,包括:激光器、透光窗、调光组件,离子束对第一区域进行离子注入时,第二激光器对第二区域进行加热;离子束对第二区域进行离子注入时,第一激光器对第一区域进行加热;第一区域或第二区域离子注入完成后,调光组件通过控制对应激光束的光路改变已完成离子注入区域的位置。本发明通过设置两台激光器,透过透光窗对真空腔室内的样品进行加热,使样品表面对应区域达到离子束注入的指定温度,当对某一区域进行离子注入的同时,另一激光器可以对另一区域进行预热,两个激光器交替预热,大大提高了加热效率和离子注入效率,同时光斑定位精度高。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 离子 注入 激光 辅助 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于离子注入的激光辅助装置,其特征在于,包括:激光器,包括第一激光器(10)和第二激光器(11),设于真空腔室外,用于产生激光束对离子注入的样品(200)加热;透光窗,包括第一透光窗(20)和第二透光窗(21),设于真空腔室侧壁(100),供所述第一激光器(10)和所述第二激光器(11)发出的激光束经过;调光组件,包括第一调光组件(30)和第二调光组件(31),设于真空腔室内,所述第一调光组件(30)和所述第二调光组件(31)分别用于控制所述第一激光器(10)和所述第二激光器(11)发出的激光束的光路改变,以分别改变样品(200)上被加热的第一区域(S1)和第二区域(S2)的位置;托盘(40),设于真空腔室内,用于承载样品(200),激光束透过样品(200)对所述托盘(40)加热以传递热量给样品(200);调节装置(60),与所述托盘(40)相对固定,用于带动所述托盘(40)上下移动或左右移动或旋转;其中,离子束(R)对所述第一区域(S1)进行离子注入时,所述第二激光器(11)对所述第二区域(S2)进行加热;所述样品(200)在所述调节装置(60)的带动下随所述托盘(40)移动,离子束(R)对所述第二区域(S2)进行离子注入时,所述第一激光器(10)对所述第一区域(S1)进行加热;所述第一区域(S1)或所述第二区域(S2)离子注入完成后,所述调光组件通过控制对应激光束的光路改变已完成离子注入区域的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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