[发明专利]一种扇出PoP封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410842516.0 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104538375A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 夏国峰;于大全 | 申请（专利权）人： | 华天科技（西安）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 710018 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种扇出PoP封装结构及其制造方法，该扇出PoP封装通过上、下封装堆叠形成。下封装体包括了第一金属凸点结构、第一IC芯片、键合焊盘、第一塑封料、再布线金属走线层、第一金属层、介电材料层、第二金属层和第一焊球，第一IC芯片的键合焊盘与再布线金属走线层互联，第一金属凸点结构构成模塑料通孔，模塑料通孔实现上、下封装体之间以及与外部结构的三维集成互联。制造该封装结构的主要方法：在第一基板上表面制作第一金属凸点结构，上芯，塑封，制作再布线金属走线层，对第一基板下表面进行减薄，植球和回流工艺形成下封装体。在下封装体上方直接贴装BGA封装等其他封装作为上封装体，或者在下封装体上方进行上芯、引线键合和塑封工艺形成上封装体，形成扇出PoP封装。该发明较好的解决了现有PoP封装技术所存在的封装密度和成本问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pop 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种扇出PoP封装结构，其特征在于，所述结构是由下封装体(50)和上封装体组成；所述下封装体(50)包括了第一金属凸点结构(2)、第一IC芯片(3)、键合焊盘(4)、第一塑封料(6)、再布线金属走线层(7)、第一金属层(8)、介电材料层(9)、第二金属层(10)和第一焊球(11)；所述第一IC芯片(3)带有键合焊盘(4)，第一金属凸点结构(2)上有第二金属层(10)，第一塑封料(6)包围了第一IC芯片(3)和第一金属凸点结构(2)，第一IC芯片(3)的和第一金属凸点结构(2)的同一个方向的表面裸露；第一IC芯片(3)的键合焊盘(4)与再布线金属走线层(7)连接，再布线金属走线层(7)上制作有第一金属层(8)，第一金属层(8)上植有第一焊球(11)，在第一IC芯片(3)、第一金属凸点结构(2)和第一塑封料(6)的同一方向的表面涂覆有介电材料层(9)，介电材料层(9)包围再布线金属走线层(7)；所述上封装体为第一上封装体(60)，其是由第二基板(12)、第一粘片胶(13)、第二IC芯片(14)、第一金属导线(15)、第二塑封料(16)和第二焊球(17)组成，所述第二基板(12)通过第一粘片胶(13)与第二IC芯片(14)连接，第二基板(12)下部还植有第二焊球(17)，第一金属导线(15)连接了第二基板(12)和第二IC芯片(14)，第二塑封料(16)包围了第一粘片胶(13)、第二IC芯片(14)和第一金属导线(15)，第二焊球(17)与下封装体(50)的第二金属层(10)连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华天科技（西安）有限公司;，未经华天科技（西安）有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410842516.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于载体的扇出封装结构及其制备方法
- 下一篇：控制闪存单元阈值电压的方法
