[发明专利]绝缘体上硅射频开关器件结构有效
| 申请号： | 201410844125.2 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104485361B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 刘张李;孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种绝缘体上硅射频开关器件结构，包括布置在衬底上的埋氧层、布置在埋氧层上的器件层、布置在器件层上的栅极氧化物结构、布置在栅极氧化物结构上的梳状栅结构、梳状源结构以及梳状漏结构；器件层包括源漏区以及处于源漏区之间的器件沟道区；梳状源结构以及梳状漏结构通过接触孔连接至源漏区；其中梳状栅结构、梳状源结构以及梳状漏结构的梳齿相互平行，而且梳状源结构的梳齿以及梳状漏结构的梳齿交替布置；而且在梳状源结构的梳齿与梳状漏结构的梳齿之间布置有梳状栅结构的梳齿；梳状源结构的梳齿与梳状漏结构的梳齿在梳齿的延伸方向上彼此不正面相对，梳状源结构的梳齿与梳状栅结构的梳齿在梳齿的延伸方向上彼此重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 射频 开关 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于，包括：布置在衬底上的埋氧层、布置在埋氧层上的器件层、布置在器件层上的栅极氧化物结构、布置在栅极氧化物结构上的梳状栅结构、梳状源结构以及梳状漏结构；其中，器件层包括源漏区以及处于源漏区之间的器件沟道区；梳状源结构以及梳状漏结构通过接触孔连接至源漏区；其中梳状栅结构、梳状源结构以及梳状漏结构的梳齿相互平行，而且梳状源结构的梳齿以及梳状漏结构的梳齿交替布置；而且在梳状源结构的梳齿与梳状漏结构的梳齿之间布置有梳状栅结构的梳齿；并且，梳状源结构以及梳状漏结构处于同一层，梳状源结构以及梳状漏结构处于梳状栅结构的上层，且梳状源结构的梳齿与梳状漏结构的梳齿在梳齿的延伸方向上彼此不正面相对。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410844125.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：新型防卡绳吊篮提升机
- 下一篇：一种柔性电极结构、其制作方法及柔性显示基板
- 同类专利
- 专利分类
