[发明专利]3轴各向异性磁阻的制备方法在审
| 申请号： | 201410844129.0 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104505460A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 时延;王健鹏;王俊杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种3轴各向异性磁阻的制备方法，第一次刻蚀仅对沟槽底部表面的磁性材料进行刻蚀，不再同时对沟槽底部表面及基片表面进行刻蚀，避免了刻蚀速率不同造成基片表面被过刻蚀，然后进行第二次刻蚀，对位于基片表面的磁性材料进行刻蚀，形成平面磁阻与垂直磁阻的同时，在两者之间形成间距，从而形成3轴各向异性磁阻。可见，将沟槽和基片表面的磁性材料分开刻蚀，避免了过刻蚀现象，确保形成的3轴各向异性磁阻的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 各向异性 磁阻 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种3轴各向异性磁阻的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供基片，在所述基片中形成多个沟槽；在所述基片及沟槽的表面形成磁性材料；进行第一次刻蚀，刻蚀去除所述沟槽底部表面的部分磁性材料，保留位于所述基片及沟槽侧壁的磁性材料；进行第二次刻蚀，对所述基片表面的磁性材料进行刻蚀，形成平面磁阻及垂直磁阻，并在所述平面磁阻与垂直磁阻之间形成间距。
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