[发明专利]各向异性磁阻结构有效
| 申请号： | 201410844147.9 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104485415B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 时延;王健鹏;王俊杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种各向异性磁阻结构，将平面磁阻的长度形成长于垂直磁阻的长度，将沟槽的长度相应的增加，并且在平面磁阻超出的长度处形成第二间距，即在第一间距的基础上增加了宽度，确保了后续的刻蚀能够将平面磁阻和垂直磁阻靠近沟槽处刻蚀开，避免两者形成桥连，能够提高各向异性磁阻的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 各向异性 磁阻 结构 | ||
【主权项】：
一种各向异性磁阻结构，其特征在于，包括：基片、多个沟槽、垂直磁阻及平面磁阻，所述沟槽形成在所述基片中，所述垂直磁阻形成在所述沟槽的侧壁以及基片的表面上，所述平面磁阻形成在所述基片的表面上，所述平面磁阻的两端均比所述垂直磁阻的两端超出第一长度，所述沟槽的两端均比所述垂直磁阻的两端超出第二长度，所述平面磁阻与所述垂直磁阻之间设有第一间距，所述平面磁阻两端超出第一长度处形成有第二间距，所述第二间距与第一间距紧贴，所述第一间距的宽度范围是0.05μm～0.2μm，所述第二间距的宽度范围是0.05μm～0.2μm。
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