[发明专利]一种三维堆叠圆片级扇出PoP封装结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201410844316.9 申请日: 2014-12-30
公开(公告)号: CN104733411A 公开(公告)日: 2015-06-24
发明(设计)人: 夏国峰;于大全 申请(专利权)人: 华天科技(西安)有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 代理人:
地址: 710018 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种三维堆叠圆片级扇出PoP封装结构及其制造方法。该三维堆叠圆片级扇出PoP封装通过至少一个扇出PoP封装单元堆叠形成,上、下相邻扇出PoP封装单元之间通过第二焊球实现互联,采用第二塑封材料进行包覆密封。制造主要方法:在载体圆片上配置金属基材圆片,在金属基材圆片上表面制作第一金属凸点结构,倒装芯片贴片,塑封,在第一塑封材料上制作通孔,在通孔中制作第二金属凸点结构,植球,堆叠回流焊,去除载体圆片,制作再布线金属走线层,植球和回流焊工艺后形成扇出PoP封装单元,至少一个扇出PoP封装单元进行堆叠回流焊,塑封形成该结构。该发明解决了现有PoP封装技术所存在的封装密度、成本和可靠性问题。
搜索关键词: 一种 三维 堆叠 圆片级扇出 pop 封装 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种三维堆叠圆片级扇出PoP封装结构,其特征在于,通过至少一个扇出PoP封装单元堆叠形成;一个扇出PoP封装单元由两个相同结构的封装体构成;所述一个封装体包括有第一金属凸点结构(2)、IC芯片(3)、凸点(4)、第一塑封材料(5)、第二金属凸点结构(6)、第一金属层(7)、再布线金属走线层(9)、介电材料层(10)、第二金属层(11);所述IC芯片(3)带有凸点(4),凸点(4)连接于第一金属凸点结构(2)上,与凸点(4)未连接的第一金属凸点结构(2)连接有第二金属凸点结构(6),第一塑封材料(5)包围了第一金属凸点结构(2)、IC芯片(3)、凸点(4)和第二金属凸点结构(6),第一金属凸点结构(2)与再布线金属走线层(9)连接,第一金属凸点结构(2)上制作有第二金属层(11),介电材料层(10)包围再布线金属走线层(9),并涂覆在第一金属凸点结构(2)和第一塑封材料(5)同一侧面;第二金属凸点结构(6)上制作有第一金属层(7);两个相对放置的封装体的第一金属层(7)由第一焊球(8)连接,并在一个封装体的第二金属层(11)上连接第二焊球(12),形成一个扇出PoP封装单元;所述扇出PoP封装单元的第二焊球(12)再连接有一个相对放置的扇出PoP封装单元的第二金属层(11),所述未植球部分的第二金属层(11)、第一焊球(8)及其连接的一对第一金属层(7)、第二焊球(12)及其连接的一对第二金属层(11)包围有第二塑封材料(16),形成一个三维堆叠圆片级扇出PoP封装结构。
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