[发明专利]减少制造成本的组合掩膜版在审
申请号: | 201410844370.3 | 申请日: | 2014-12-30 |
公开(公告)号: | CN105807553A | 公开(公告)日: | 2016-07-27 |
发明(设计)人: | 樊茂;王希铭 | 申请(专利权)人: | 展讯通信(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及电子技术领域,具体涉及一种组合掩膜版。减少制造成本的组合掩膜版,包括,第一掩膜版,用于在一复合结构中形成第一薄膜层;第二掩膜版,用于在复合结构中形成第二薄膜层;第三掩膜版,用于形成连接第一薄膜层与第二薄膜层之间的通孔;第四掩膜版,用于在复合结构中形成第三薄膜层;本发明第一掩膜版的第一光掩膜图形、第二掩膜版的第二光掩膜图形、第四掩膜版的第四光掩膜图形叠加后的重合区域形成第五光掩模图形,第五光掩膜图形用于在复合结构中形成连接第二薄膜层与第三薄膜层的通孔,本发明可以减少通孔对应的掩膜版的数量,降低集成电路的制造成本。 | ||
搜索关键词: | 减少 制造 成本 组合 掩膜版 | ||
【主权项】:
减少制造成本的组合掩膜版,其特征在于,包括,第一掩膜版,所述第一掩膜版上形成有第一光掩膜图形,所述第一光掩模图形用于在一复合结构中形成第一薄膜层;第二掩膜版,所述第二掩膜版上形成有第二光掩膜图形,所述第二光掩模图形用于在所述复合结构中形成第二薄膜层;第三掩膜版,所述第三掩膜版上形成有第三光掩膜图形,所述第三光掩模图形用于形成连接所述第一薄膜层与所述第二薄膜层之间的通孔;第四掩膜版,所述第四掩膜版上形成有第四光掩膜图形,所述第四光掩膜图形用于在所述复合结构中形成第三薄膜层;所述第一掩膜版、所述第二掩膜版、所述第四掩膜版叠加后的重合区域形成第五光掩模图形,所述第五光掩膜图形用于在所述复合结构中形成连接所述第二薄膜层与所述第三薄膜层的通孔。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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