[发明专利]薄膜晶体管及薄膜晶体管基板有效
| 申请号： | 201410845006.9 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105810745B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 方国龙;施博理;高逸群;林欣桦;李志隆 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括第一栅极、第二栅极、通道层、源极、漏极以与栅极绝缘层。所述通道层通过所述栅极绝缘层与所述第一栅极及第二栅极相互绝缘。所述通道层包括第一部分与第二部分。所述第二部分的导电率大于所述第一部分的导电率。所述第一部分包括位于所述第二部分与源极之间的第一区域以及位于所述第二部分与漏极之间的第二区域。所述第一栅极对应所述第一区域设置。所述第二栅极对应所述第二区域设置。所述源极电性连接所述第一区域。所述漏极电性连接所述第二区域。本发明所提供的薄膜晶体管以及薄膜晶体管基板响应速度快，重量轻，能够应用于大尺寸、高分辨率显示面板中。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括第一栅极、第二栅极、通道层、源极、漏极以与栅极绝缘层，所述通道层通过所述栅极绝缘层与所述第一栅极及第二栅极相互绝缘，所述通道层包括第一部分与第二部分，所述第二部分的导电率大于所述第一部分的导电率，所述第一部分包括位于所述第二部分与源极之间的第一区域以及位于所述第二部分与漏极之间的第二区域，所述第一栅极对应所述第一区域设置，所述第二栅极对应所述第二区域设置，所述源极电性连接所述第一区域，所述漏极电性连接所述第二区域；所述薄膜晶体管还包括基底，所述第一栅极与第二栅极设置于所述基底上，所述栅极绝缘层覆盖所述第一栅极与第二栅极，所述第二部分设置于所述栅极绝缘层上，所述第一部分形成在所述栅极绝缘层与所述第二部分上，覆盖并包围所述第二部分，所述源极与漏极形成在所述第一部分与栅极绝缘层上，且所述源极与漏极分别覆盖在所述通道层相对的两端，所述源极与所述第二部分通过所述第一部分得以间隔而不直接接触，所述漏极与所述第二部分通过所述第一部分得以间隔而不直接接触。
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