[发明专利]一种TSV Interposer结构及其封装方法

摘要

本发明公开了一种TSV Interposer结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其封装方法如下：取晶圆并在晶圆的一面开设盲孔Ⅰ，通过同时抽真空、加热、加压的方式将绝缘层压合在晶圆的表面和盲孔Ⅰ内，通过定位、激光开孔工艺在盲孔Ⅰ内开设盲孔Ⅱ，通过再布线工艺在绝缘层的表面和盲孔Ⅱ内形成再布线金属层Ⅰ，再布线金属层Ⅰ于晶圆的上方设置输入/输出端Ⅰ和保护层，通过机械抛磨的方法减薄晶圆的另一面，形成减薄面，通过再布线工艺在减薄面上形成再布线金属层Ⅱ，该再布线金属层Ⅱ于绝缘层开口处与再布线金属层Ⅰ连接，将采用晶圆级封装工艺完成的TSV Interposer结构切割、裂片。本发明有效地降低了工艺难度，提高了Interposer的良率。

主权项

一种TSV Interposer结构，其包括硅基本体（11）和硅通孔（111），所述硅通孔（111）上下贯穿该硅基本体（11），其特征在于，所述硅基本体（11）的一表面设置绝缘层（2），所述绝缘层（2）延伸至硅通孔（111）并布满硅通孔（111）的内壁、且于所述硅通孔（111）的底部开设绝缘层开口（211），所述绝缘层（2）的表面选择地设置再布线金属层Ⅰ（41），所述再布线金属层Ⅰ（41）的表面沿绝缘层（2）进入并填充实硅通孔（111），所述再布线金属层Ⅰ（41）于硅基本体（11）的上方的最外层设置输入/输出端Ⅰ（411），所述再布线金属层Ⅰ（41）的表面覆盖保护层（5），并形成保护层开口（51），露出输入/输出端Ⅰ（411），硅基本体（11）的另一表面设置再布线金属层Ⅱ（42），所述再布线金属层Ⅱ（42）于绝缘层开口（211）处与再布线金属层Ⅰ（41）连接，所述再布线金属层Ⅱ（42）的最外层设有输入/输出端Ⅱ（421），所述再布线金属层Ⅱ（42）的最内层与硅基本体（11）的另一表面之间设置介电层（31），所述输入/输出端Ⅱ（421）设置连接件（7）。