[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201410846808.1 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105810785B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 李关红;李群庆;金元浩;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管，其包括：一绝缘基底；一P型半导体层，该P型半导体层设置于该绝缘基底的表面；一第一电极，该第一电极与P型半导体层电连接；一半导体碳纳米管层，该半导体碳纳米管层设置于P型半导体层远离绝缘基底的表面并延伸至P型半导体层外一部分，该半导体碳纳米管层与第一电极绝缘设置；一第二电极，该第二电极与该第一电极间隔设置，并与半导体碳纳米管层延伸至P型半导体层外的部分电连接，且与P型半导体层绝缘设置；其中，进一步包括一氧化镁层，该氧化镁层设置于该半导体碳纳米管层远离该P型半导体层的表面，并与半导体碳纳米管层接触设置；一功能介质层，该功能介质层设置于氧化镁层远离半导体碳纳米管层的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其包括：一绝缘基底；一P型半导体层，所述P型半导体层设置于所述绝缘基底的表面；一第一电极，所述第一电极与P型半导体层电连接；一半导体碳纳米管层，该半导体碳纳米管层设置于P型半导体层远离绝缘基底的表面并延伸至P型半导体层外一部分，该半导体碳纳米管层与第一电极绝缘设置；一第二电极，该第二电极与所述第一电极间隔设置，并与所述半导体碳纳米管层延伸至P型半导体层外的部分电连接，且与P型半导体层绝缘设置；其特征在于，进一步包括：一氧化镁层，该氧化镁层设置于所述半导体碳纳米管层远离所述P型半导体层的表面，并与该半导体碳纳米管层接触设置；一功能介质层，该功能介质层设置于所述氧化镁层远离半导体碳纳米管层的表面。
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