[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201410846889.5 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105810788B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 李关红;李群庆;金元浩;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/34 | 分类号： | H01L33/34;H01L33/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管，其包括：一绝缘基底；一半导体碳纳米管层，半导体碳纳米管层设置于绝缘基底的表面；一第一电极，第一电极与半导体碳纳米管层电连接；一第二电极，该第二电极与第一电极间隔设置，并与半导体碳纳米管层电连接；其中，在位于所述第一电极和第二电极之间的半导体碳纳米管层远离绝缘基底的表面定义相邻的一第一区域和一第二区域，该第一区域靠近第一电极设置，该第二区域靠近第二电极设置；进一步包括一氧化镁层，所述氧化镁层设置于位于所述第一区域的所述半导体碳纳米管层的表面，位于第二区域的所述半导体碳纳米管层的表面暴露；一功能介质层，所述功能介质层设置于所述氧化镁层远离半导体碳纳米管层的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其包括：一绝缘基底；一半导体碳纳米管层，所述半导体碳纳米管层设置于所述绝缘基底的表面；一第一电极，所述第一电极与所述半导体碳纳米管层电连接；一第二电极，所述第二电极与该第一电极间隔设置，并与所述半导体碳纳米管层电连接；其特征在于，在位于所述第一电极和第二电极之间的所述半导体碳纳米管层远离绝缘基底的表面定义相邻的一第一区域和一第二区域，该第一区域靠近所述第一电极设置，该第二区域靠近所述第二电极设置；进一步包括一氧化镁层，所述氧化镁层设置于位于所述第一区域的所述半导体碳纳米管层的表面，位于第二区域的所述半导体碳纳米管层的表面暴露；一功能介质层，所述功能介质层设置于所述氧化镁层远离半导体碳纳米管层的表面。
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