[发明专利]互连结构及其形成方法

摘要

本发明公开了互连结构和形成互连结构的方法。互连结构包括位于衬底上方的低k(LK)介电层；位于LK介电层中的第一导电部件和第二导电部件；沿着第一导电部件的第一侧壁的第一间隔件；沿着第二导电部件的第二侧壁的第二间隔件，其中，第二导电部件的第二侧壁面向第一导电部件的第一侧壁；位于第一间隔件和第二间隔件之间的气隙；以及位于第一导电部件上方的第三导电部件，其中，第三导电部件连接至第一导电部件。

主权项

一种互连结构，包括：低k介电层，位于衬底上方；第一导电部件和第二导电部件，位于所述低k介电层中；第一间隔件，沿着所述第一导电部件的第一侧壁，其中，所述第一间隔件具有矩形的形状；第二间隔件，沿着所述第二导电部件的第二侧壁，其中，所述第二导电部件的所述第二侧壁面向所述第一导电部件的所述第一侧壁，并且其中，所述第二间隔件具有矩形的形状；气隙，位于所述第一间隔件和所述第二间隔件之间；以及第三导电部件，完全接合在所述第一导电部件和所述第一间隔件上方，其中，所述第三导电部件连接至所述第一导电部件；其中，所述第一间隔件配置为用作停止层或者缓冲结构以防止所述第三导电部件延伸穿过气隙，高宽比为所述第一间隔件或所述第二间隔件的高度除以所述第一间隔件和所述第二间隔件之间的间距，通过控制所述高宽比大于或等于2以形成所述气隙。