[发明专利]形成半导体元件的方法

摘要

本发明公开一种形成半导体元件的方法，其包含以下步骤。首先，提供具有一晶体管的一基底，该晶体管包含一源极/漏极。在该基底上形成一介电层，并在该介电层内形成一接触插塞，电连接该源极/漏极。接着，在该介电层上形成一掩模层，该掩模层包含相互堆叠的一第一层及第二层。之后，在该第二层上形成一狭缝阻挡图案，且在该第一层上形成一接触沟槽图案。后续则移除该第二层。最后，通过该第一层的接触沟槽图案形成一接触沟槽。

主权项

1.一种形成半导体元件的方法，其特征在于包含以下步骤:提供一基底，该基底上具有一晶体管，其中，该晶体管包含栅极结构以及源极/漏极；在该基底上形成一第一介电层，该第一介电层覆盖该基底；在该第一介电层内形成一第一接触插塞，该第一接触插塞电连接该源极/漏极；在该第一介电层上形成一第二介电层；在该第二介电层上形成一掩模层，其中，该掩模层包含一多层结构，且该多层结构具有一第一层与一第二层，该第二层堆叠于该第一层上；图案化该第二层以形成一狭缝阻挡图案，位于该第一层上；在该狭缝阻挡图案形成后，移除该第一层的一部分以在该第一层形成两个接触沟槽图案，该狭缝阻挡图案阻挡该两个接触沟槽图案中的一个的一部分，以将该两个接触沟槽图案中的一个分隔为两部分；移除该第二层；以及通过该两个接触沟槽图案于该第二介电层形成两个第一接触沟槽。