[发明专利]一种非铁磁性薄壁管缺陷检测的内穿式巨磁阻阵列探头在审
| 申请号： | 201410848911.X | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105806933A | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 祁攀;邵文斌;崔洪岩;廖述圣 | 申请（专利权）人： | 中核武汉核电运行技术股份有限公司;核动力运行研究所 |
| 主分类号： | G01N27/90 | 分类号： | G01N27/90 |
| 代理公司： | 核工业专利中心 11007 | 代理人： | 李东斌 |
| 地址： | 430223 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及内穿式涡流无损检测技术领域，具体公开了一种非铁磁性薄壁管缺陷检测的内穿式巨磁阻阵列探头。一种非铁磁性薄壁管缺陷检测的内穿式巨磁阻阵列探头，该探头包括设置在探头骨架上的激励线圈和巨磁阻传感器，其中，巨磁阻传感器位于激励线圈的中心。本发明所述的一种非铁磁性薄壁管缺陷检测的内穿式巨磁阻阵列探头，用于薄管壁的涡流检测，该探头不仅提高阵列探头对于非铁磁性小管径管道的缺陷的检测灵敏度，扩展探头对于缺陷尺度的检测范围；而且提高阵列探头的抗干扰能力，延长探头的使用周期。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铁磁性 薄壁 缺陷 检测 内穿式巨 磁阻 阵列 探头 | ||
【主权项】：
一种非铁磁性薄壁管缺陷检测的内穿式巨磁阻阵列探头，其特征在于：该探头包括设置在探头骨架(3)上的激励线圈(1)和巨磁阻传感器(2)，其中，巨磁阻传感器(2)位于激励线圈(1)的中心。
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