[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法

摘要

本发明提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法。阵列基板包括呈矩阵分布的多个低温多晶硅薄膜晶体管，低温多晶硅薄膜晶体管包括：基板；设置在基板同一表面的低温多晶硅层、源极、漏极以及第一导电层，低温多晶硅层设置于基板的表面的中部，源极及漏极设置于低温多晶硅层的两侧，且源极的一端电连接低温多晶硅层的一端，漏极的一端电连接低温多晶硅层的另一端，漏极的另一端电连接第一导电层；绝缘层，绝缘层设置于低温多晶硅层、源极、漏极以及第一导电层上；栅极，栅极设置于绝缘层上且对应低温多晶硅层设置；钝化层，层叠设置于栅极上；以及第二导电层，第二导电层设置于钝化层上且对应第一导电层设置。

主权项

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括呈矩阵分布的多个低温多晶硅薄膜晶体管，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括：基板；设置在所述基板同一表面的低温多晶硅层、源极、漏极、第一导电层、第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层，所述低温多晶硅层设置于所述基板的表面的中部，所述源极及所述漏极设置于所述低温多晶硅层的两侧，且所述源极的一端电连接所述低温多晶硅层的一端，所述漏极的一端电连接所述低温多晶硅层的另一端，所述漏极的另一端电连接所述第一导电层，所述第一欧姆接触层连接所述源极及所述低温多晶硅层，所述第一欧姆接触层覆盖所述源极的一端，所述第二欧姆接触层连接所述漏极与所述低温多晶硅层，所述第二欧姆接触层覆盖所述漏极的一端；绝缘层，所述绝缘层设置于所述低温多晶硅层、所述源极、所述漏极以及所述第一导电层上；栅极，所述栅极设置于所述绝缘层上且对应所述低温多晶硅层设置，所述低温多晶硅层的连接所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层的边缘对齐于所述栅极的边缘；钝化层，所述钝化层层叠设置于所述栅极上；以及第二导电层，所述第二导电层设置于所述钝化层上且对应所述第一导电层设置，其中，所述第一导电层为像素电极，所述第二导电层为公共电极。