[发明专利]一种铜互连的形成方法在审
| 申请号： | 201410849545.X | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104465507A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 徐文忠 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种铜互连的形成方法，包括以下步骤：首先提供一半导体衬底，对其进行光刻和刻蚀工艺，以形成沟槽；然后在沟槽内沉积扩散阻挡层以及粘附层；接着对粘附层进行电化学还原工艺，以还原其表面的金属氧化物；再接着在还原后的粘附层的表面形成铜籽晶层；同时在沟槽内充满金属铜；最后采用平坦化工艺去除沟槽外多余的扩散阻挡层、粘附层、铜籽晶层以及金属铜。本发明通过电化学还原工艺去除粘附层表面的金属氧化物，降低了粘附层表面的电阻率，有利于后续电镀工艺形成均匀的铜籽晶层，同时提高了铜籽晶层在粘附层表面的成核率，有利于形成致密且电阻率较低的铜籽晶层，同时使两者之间的粘附性更好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互连 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种铜互连的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，对所述半导体衬底进行光刻和刻蚀工艺，以形成沟槽；步骤S02：在所述沟槽内沉积扩散阻挡层以及粘附层；步骤S03：对所述粘附层进行电化学还原工艺，以还原所述粘附层表面的金属氧化物；步骤S04：在还原后的粘附层的表面形成铜籽晶层；步骤S05：在所述沟槽内充满金属铜并覆盖所述铜籽晶层的表面；步骤S06：采用平坦化工艺去除所述沟槽外多余的扩散阻挡层、粘附层、铜籽晶层以及金属铜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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