[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410850000.0 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104766864B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 李承* | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/11575;H01L27/11578;H01L21/28;H01L27/11551;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：多个第一导电图案，其层叠在衬底上；虚设图案，其分别形成在所述第一导电图案中；第一阻挡图案，每个第一阻挡图案包围相应的第一导电图案，且部分地插入在相应的第一导电图案和相应的虚设图案之间；第二阻挡图案，每个第二阻挡图案包围相应的第一阻挡图案和相应的虚设图案；第二导电图案，其位于所述第一导电图案之上或之下；以及第三阻挡图案，其包围所述第二导电图案，其中，所述第二导电图案具有比所述第一导电图案更大的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：多个第一导电图案，其层叠在衬底之上；虚设图案，其分别形成在所述第一导电图案中；第一阻挡图案，每个第一阻挡图案包围相应的第一导电图案，且部分地插入在相应的第一导电图案和相应的虚设图案之间；第二阻挡图案，每个第二阻挡图案包围相应的第一阻挡图案和相应的虚设图案，使得每个虚设图案插入在相应的第一阻挡图案和相应的第二阻挡图案之间；第二导电图案，其位于所述第一导电图案之上或之下；以及第三阻挡图案，其包围所述第二导电图案，其中，所述第二导电图案具有比所述第一导电图案更大的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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