[发明专利]一种半导体器件在审

专利信息
申请号: 201410851443.1 申请日: 2014-12-30
公开(公告)号: CN105810733A 公开(公告)日: 2016-07-27
发明(设计)人: 王寅 申请(专利权)人: 展讯通信(上海)有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/423
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 俞涤炯
地址: 201203 上海市浦东新区张*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种半导体器件,包括:在第一导电类型的外延层顶部设置有一沟槽,所述沟槽内设置有相对独立的第一栅极和第二栅极,所述第一栅极和所述第二栅极通过沟槽侧壁上附着的栅极氧化层与所述外延层进行隔离,且所述第一栅极和所述第二栅极之间通过沟槽内填充的绝缘材料进行绝缘;在外延层的顶部掺杂有本体层,第一导电类型的第一源极区掺杂在本体层的顶部且靠近沟槽一侧的上部附近,第一导电类型的第二源极区掺杂在本体层的顶部且靠近沟槽相对的另一侧的上部附近;所述本体层位于所述沟槽底部以上。藉由本发明采用的技术方案可减小芯片面积。
搜索关键词: 一种 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,其特征在于,包括:在第一导电类型的外延层顶部设置有一沟槽,所述沟槽内设置有相对独立的第一栅极和第二栅极,所述第一栅极和所述第二栅极通过沟槽侧壁上附着的栅极氧化层与所述外延层进行隔离,且所述第一栅极和所述第二栅极之间通过沟槽内填充的绝缘材料进行绝缘;在所述外延层的顶部掺杂有本体层,所述第一导电类型的第一源极区掺杂在本体层的顶部且靠近沟槽一侧的上部附近,所述第一导电类型的第二源极区掺杂在本体层的顶部且靠近沟槽相对的另一侧的上部附近;所述本体层位于所述沟槽底部以上。
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