[发明专利]静电感测方法有效
| 申请号： | 201410852141.6 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105808031B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 王新河;李东琦;王江涛;武文赟;何宇俊;柳鹏;赵清宇;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/045 | 分类号： | G06F3/045 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种静电传感器的静电感测方法，该静电传感器包括一个传感单元和一个控制单元，所述传感单元包括至少一个第一传感元件，以及至少两个第一电极设置在该至少一个第一传感元件的两端并与该至少一个第一传感元件电连接，所述至少一第一传感元件为一维半导体纳米。当带有静电的物体靠近该第一传感元件时，该第一传感元件的电阻产生变化；该控制单通过导线于所述至少一个第一传感元件电连接，并通过向所述至少一个第一传感元件施加电压后测量该至少一个第一传感元件的电阻并输出电阻的信号。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 方法 | ||
【主权项】：
1.一种静电感测方法，其包括以下步骤：提供一静电传感器，其包括一个传感单元和一个控制单元，所述传感单元包括至少一个第一传感元件，以及至少两个第一电极设置在所述至少一个第一传感元件的两端并与该至少一个第一传感元件电连接，所述至少一个第一传感元件为一维半导体纳米结构，当带静电的物体靠近该至少一个第一传感元件时该至少一个第一传感元件的电阻产生变化；使带静电的物体靠近所述传感单元，通过所述控制单元向所述至少一个第一传感元件施加电压，并测量由于带静电的物体靠近所导致的该至少一个第一传感元件的电阻变化。
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