[发明专利]沟槽型双层栅MOS及工艺方法在审
| 申请号： | 201410852324.8 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104465781A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 陈晨;周颖;陈正嵘;陈菊英 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型双层栅MOS，其硅衬底中具有体区，源极沟槽位于体区且底部位于衬底中，沟槽内填充多晶硅；多晶硅略低于硅衬底表面，多晶硅上方具有热氧化层填满沟槽；衬底表面为硼磷硅玻璃；所述硅衬底中还具有肖特基沟槽，所述肖特基沟槽填充多晶硅，且多晶硅与沟槽之间以氧化层隔离；所述源极沟槽内的多晶硅与源极沟槽之间还间隔有隔离层，所述隔离层是第一氧化硅层、氮化硅以及第二氧化硅层的复合三明治结构；所述硼磷硅玻璃不填充入源极沟槽；所述肖特基沟槽内是以多晶硅填充满。本发明还公开了所述沟槽型双层栅MOS的工艺方法，本方法改善了肖特基区形貌，避免了深接触孔工艺，有效避免形成碗口界面，使刻蚀精度更易控制，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 双层 mos 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型双层栅MOS，其硅衬底中具有体区，源极沟槽位于体区且底部位于衬底中，沟槽内填充多晶硅；多晶硅略低于硅衬底表面，多晶硅上方具有热氧化层填满沟槽；衬底表面为硼磷硅玻璃；所述硅衬底中还具有肖特基沟槽，所述肖特基沟槽填充多晶硅，且多晶硅与沟槽之间以氧化层隔离；其特征在于：所述源极沟槽内的多晶硅与源极沟槽之间还间隔有隔离层，所述隔离层是第一氧化硅层、氮化硅以及第二氧化硅层的复合三明治结构；所述硼磷硅玻璃不填充入源极沟槽；所述肖特基沟槽内是以多晶硅填充满。
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