[发明专利]光电二极管、紫外探测器集成电路及其制造方法在审
| 申请号： | 201410852685.2 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104505410A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 周健;胡铁刚 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L27/144;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司11449 | 代理人： | 刘锋;蔡纯 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种光电二极管、紫外探测器集成电路及其制造方法。在现有的可见光光电二极管的第一半导体区域的受光表面一侧形成下凹结构从而使得其对紫外线敏感。由此，可以基于标准半导体工艺(例如CMOS工艺)制造紫外探测光电二极管，降低了生产成本。并且，由于可以采用标准半导体工艺制造，可以与其它的电路元件集成制造紫外探测器集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 紫外 探测器 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电二极管，包括硅基底；第一半导体区域，具有第一导电类型，形成在所述硅基底中，在受光表面一侧具有多个下凹结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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