[发明专利]薄片型半导体激光泵浦碱金属激光系统在审

专利信息
申请号: 201410853687.3 申请日: 2014-12-31
公开(公告)号: CN104617481A 公开(公告)日: 2015-05-13
发明(设计)人: 蔡和;王浟;韩聚洪;张伟;薛亮平;安国斐;王宏元;周杰;蒋志刚 申请(专利权)人: 西南技术物理研究所
主分类号: H01S3/227 分类号: H01S3/227;H01S3/0941;H01S3/041
代理公司: 成飞(集团)公司专利中心 51121 代理人: 郭纯武
地址: 610041 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提出的一种薄片型半导体激光泵浦碱金属激光系统,旨在提供一种能够加快蒸气介质散热速度,可进一步减轻蒸气腔温度梯度分布的激光系统。本发明通过下述技术方案予以实现:半导体激光光源经过泵浦光线宽压窄系统进行压窄后,通过泵浦光束匀化准直系统耦合进入充有碱金属介质和缓冲气体的碱金属蒸气腔,以匹配泵浦线宽和碱金属原子的吸收线宽,泵浦光束匀化准直系统匀化吸收泵浦光;泵浦光反射系统将未被吸收的泵浦光多次反射回碱金属蒸气腔,碱金属蒸气温度控制系统紧挨碱金属蒸气腔后端面,采用平面、大面积的温控方式加快轴向方向的热传递,减小蒸气腔横向方向的温度梯度分布,激光在激光器谐振腔内振荡输出激光。
搜索关键词: 薄片 半导体 激光 碱金属 系统
【主权项】:
一种薄片型半导体激光泵浦碱金属激光系统,包括泵浦光线宽压窄系统、泵浦光束匀化准直系统、碱金属蒸气腔、碱金属蒸气温度控制系统、泵浦光反射系统和激光器谐振腔,其特征在于:在薄片型半导体激光泵浦碱金属激光器DPAL中,半导体激光光源1经过泵浦光线宽压窄系统,采用布拉格体光栅(2)将半导体激光谱线宽度压窄至蒸气腔内碱金属原子吸收线宽的量级,实现两者线宽的匹配,半导体激光通过泵浦光束匀化准直系统耦合进入充有碱金属介质和缓冲气体的碱金属蒸气腔,泵浦光束匀化准直系统匀化泵浦光的空间光强;泵浦光反射系统将未被吸收的泵浦光多次反射回碱金属蒸气腔,碱金属蒸气温度控制系统紧挨碱金属蒸气腔后端面,采用平面、大面积的温控方式加快轴向方向的热传递,减小蒸气腔横向方向的温度梯度分布,激光在激光器谐振腔内振荡输出激光。
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