[发明专利]接触孔的工艺方法在审
| 申请号： | 201410854000.8 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104538347A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 李豪 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种接触孔的工艺方法，包含步骤：第一步，接触孔刻蚀形成之后，进行钛/氮化钛阻挡层的溅射工艺；第二步，接触孔内再淀积一层金属钨；第三步，对淀积的金属钨进行回刻；第四步，进行金属溅射工艺填充接触孔。本发明利用了填孔效果好的LPCVD钨淀积工艺，在接触孔刻蚀形成的底部凹陷处形成钨侧墙，以弥补钛/氮化钛阻挡层底部边缘处厚度的不足，有效改善了填充金属铝或铝/铜和硅之间扩散形成铝钉的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种接触孔的工艺方法，其特征在于：包含如下步骤：第一步，接触孔刻蚀形成之后，进行钛/氮化钛阻挡层的溅射工艺；第二步，接触孔内再淀积一层金属钨；第三步，对淀积的金属钨进行回刻；第四步，进行金属溅射工艺填充接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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