[发明专利]半导体晶圆及其整平方法和封装方法在审
| 申请号： | 201410854216.4 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105810557A | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;蒋珂玮 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/78;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体晶圆及其整平方法和封装方法。其中，半导体晶圆的整平方法包括：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆包括形成有若干半导体芯片的功能面和与所述功能面相对的背面，所述半导体晶圆具有翘曲变形；之后在所述半导体晶圆的背面形成应力层，所述应力层对晶圆产生应力作用，从而可降低所述晶圆边缘与中心的高度差的绝对值，即减小半导体晶圆的翘曲度，提高半导体晶圆的平整度，进而可提高半导体晶圆的封装的效果以及半导体晶圆的切割效果，以提高切割半导体晶圆后形成的各芯片的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 及其 平方 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆的整平方法，其特征在于，包括：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆包括形成有若干半导体芯片的功能面和与所述功能面相对的背面，所述半导体晶圆具有翘曲变形；在所述半导体晶圆的背面形成应力层，以减小半导体晶圆的边缘与中心的高度差的绝对值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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