[发明专利]晶圆托盘有效
申请号: | 201410854231.9 | 申请日: | 2014-12-31 |
公开(公告)号: | CN105810626B | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
发明(设计)人: | 张昭;刘汝春 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 应战;骆苏华 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种晶圆托盘,包括承载盘以及嵌在承载盘上表面的盖板,该承载盘上表面具有若干向下凹陷的晶圆承载区,每一晶圆承载区的部分侧壁顶部具有伸向承载区中心的第一凸舌,该第一凸舌沿承载区的边缘适于覆盖晶圆的第一部分弧形外周缘,盖板的边缘具有第二凸舌,该第二凸舌适于覆盖若干晶圆的第二部分弧形外周缘,第一和第二部分弧形外周缘共同围绕晶圆的整个外周缘对晶圆施压,防止晶圆翘曲;此外,每一晶圆承载区的底壁、侧壁以及与侧壁连接的第一凸舌一体成型,底壁对晶圆加热,而第一凸舌由于与底壁一体成型,因而两者温度相同,使得在对晶圆托盘扫描过程中,第一凸舌不会因为温度不同而干扰扫描结果。 | ||
搜索关键词: | 托盘 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆托盘,其特征在于,包括:承载盘,上表面具有若干向下凹陷的晶圆承载区,所述晶圆承载区用于放置晶圆,每一晶圆承载区的部分侧壁顶部具有伸向承载区中心的第一凸舌,每一晶圆承载区的底壁、侧壁以及与所述侧壁连接的第一凸舌一体成型,其中第一凸舌沿所述承载区的边缘适于覆盖晶圆的第一部分弧形外周缘,所述第一部分弧形外周缘小于等于晶圆外周缘的一半;盖板,嵌在所述承载盘的上表面,所述盖板的边缘具有第二凸舌,所述第二凸舌适于覆盖所述若干晶圆的第二部分弧形外周缘,所述第一和第二部分弧形外周缘共同围绕所述晶圆的整个外周缘;其中,晶圆在放置时,所述第一凸舌与所述第二凸舌位于同一高度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)有限公司,未经中微半导体设备(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410854231.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有变化热阻的晶片载体
- 下一篇:半导体晶圆及其整平方法和封装方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造