[发明专利]在硅衬底上调控铁磁钌酸锶外延薄膜居里温度的方法在审
| 申请号： | 201410854338.3 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104480433A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 王炜;李效民;杨明敏;朱秋香;高相东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/06 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种在硅衬底上调控铁磁钌酸锶外延薄膜居里温度的方法，所述方法包括：在硅衬底上，采用脉冲激光沉积法沉积钌酸锶薄膜，通过调节沉积脉冲激光沉积法的氧分压，实现对钌酸锶薄膜的居里温度的调节。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 调控 铁磁钌酸锶 外延 薄膜 居里 温度 方法 | ||
【主权项】：
一种在硅衬底上调控铁磁钌酸锶外延薄膜居里温度的方法，其特征在于，所述方法包括：在硅衬底上，采用脉冲激光沉积法沉积钌酸锶薄膜，通过调节沉积脉冲激光沉积法的氧分压，实现对钌酸锶薄膜的居里温度的调节。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410854338.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
