[发明专利]一种3D NAND闪存结构及其制作方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种3D NAND闪存结构及该3D NAND闪存结构的制作方法。该方法包括：提供衬底，并在衬底上依次形成栅极氧化层，源极选择管多晶硅层，多个堆叠的氧化介质层和牺牲介质层，漏极选择管多晶硅层，以及保护氧化层；刻蚀形成暴露出衬底的圆柱型沟道；在圆柱型沟道内形成隧穿氧化层、多晶硅和多晶硅隔离介质层；刻蚀形成暴露出衬底的源极沟槽，并形成公共源极；湿法刻蚀去除所述牺牲介质层；在源极沟槽的侧壁和氧化介质层内壁依次形成电子俘获层和阻挡氧化层；在阻挡氧化层表面形成栅极。该方法制得的选择管不包括电子俘获层氮化硅，避免了选择管的阈值电压漂移和漏电现象，提高了存储器件的质量。

主权项

1.一种3D NAND闪存结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，并在衬底上依次形成栅极氧化层，源极选择管多晶硅层，多个堆叠的氧化介质层和牺牲介质层，漏极选择管多晶硅层，以及保护氧化层，其中，所述牺牲介质层形成于相邻的氧化介质层之间；刻蚀形成暴露出衬底的圆柱型沟道；在所述圆柱型沟道内依次形成隧穿氧化层、多晶硅和多晶硅隔离介质层；刻蚀形成暴露出衬底的源极沟槽，并形成公共源极；湿法刻蚀去除所述牺牲介质层；在所述源极沟槽的侧壁和氧化介质层内壁依次形成电子俘获层和阻挡氧化层；在阻挡氧化层表面形成栅极。