[发明专利]一种大面积制备微纳米凸球透镜阵列的方法有效
| 申请号： | 201410854544.4 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104698514A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 唐成春;李俊杰;姜倩晴;顾长志;全保刚;金爱子 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G02B3/00 | 分类号： | G02B3/00;C23F4/00;G03F7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;王博 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用电子束光刻(EBL)结合反应离子刻蚀(RIE)大面积制备微纳米凸球透镜阵列的方法，包括如下步骤：1)清洁金刚石表面并蒸镀粘附层金属；2)在蒸镀了粘附层金属的金刚石样品表面旋涂HSQ层，并进行前烘；3)在EBL系统中对金刚石样品表面HSQ层进行曝光；4)对曝光后的HSQ层进行显影定影；5)用RIE刻蚀去除周期性柱形硅氧化物掩膜周围的粘附层金属；6)用RIE刻蚀周期性凸球阵列结构。本发明的方法简单灵活，能够实现金刚石表面大面积的凸球结构制备，在金刚石NV色心单光子器件等方面有潜在应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 制备 纳米 透镜 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种用电子束光刻(EBL)结合反应离子刻蚀(RIE)大面积制备微纳米凸球透镜阵列的方法，包括步骤如下：步骤S1：清洁金刚石表面并蒸镀粘附层金属；步骤S2：在蒸镀了粘附层金属的金刚石样品表面旋涂HSQ层，并进行前烘；步骤S3：在EBL系统中对金刚石样品表面HSQ层进行曝光，曝光图形为周期性圆形阵列；步骤S4：对曝光后的HSQ层进行显影定影，得到周期性柱形硅氧化物掩膜；步骤S5：用RIE刻蚀去除周期性柱形硅氧化物掩膜周围的粘附层金属；步骤S6：用RIE刻蚀周期性凸球阵列结构。
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