[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括存储区和外围区；在所述衬底上依次形成浮栅层和填充层；形成隔离结构；使所述隔离结构与所述填充层的表面齐平；在所述填充层和所述隔离结构上形成保护层；依次去除存储区内的保护层、填充层露出所述浮栅层，以及存储区内部分厚度的隔离结构；在存储区的浮栅层、外围区的保护层以及隔离结构上覆盖控制栅层；去除外围区的控制栅层和保护层露出所述填充层；形成掩模材料层。本发明通过在设置填充层和保护层，可以减小半导体器件膜层的起伏程度，能够有效避免膜层残留问题，提高器件制造过程中的良品率，降低器件制造成本。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括用于形成存储器件的存储区和用于形成外围电路的外围区；在所述存储区的衬底表面和所述外围区的衬底上依次形成浮栅层和填充层；在所述存储区和外围区中以及所述存储区和所述外围区交界处形成隔离结构；使所述隔离结构与所述填充层的表面齐平；在所述填充层和所述隔离结构上形成保护层；依次去除存储区内的保护层、填充层露出所述浮栅层，并在去除存储区内的保护层和填充层的过程中，去除存储区内部分厚度的隔离结构，使剩余隔离结构与所述存储区内的浮栅层表面齐平；在存储区的浮栅层、外围区的保护层以及隔离结构上覆盖控制栅层；去除外围区的控制栅层和保护层露出所述填充层；在外围区的所述填充层和存储区的控制栅层上形成掩模材料层，位于存储区的掩模材料层用作存储区的掩模，位于外围区的掩模材料层与所述填充层作为外围区的掩模。