[发明专利]超声波传感器阵列的激励装置在审

专利信息
申请号: 201410855458.5 申请日: 2014-12-31
公开(公告)号: CN104485927A 公开(公告)日: 2015-04-01
发明(设计)人: 郑海荣;邱维宝;周娟;史志谦 申请(专利权)人: 深圳先进技术研究院
主分类号: H03K3/02 分类号: H03K3/02;H03K19/0948
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种超声波传感器阵列的激励装置,包括:信号产生器和多个激励电路,其中,每个激励电路对应于超声波传感器阵列中的一个超声波传感器,激励电路包括:金属氧化物半导体场效应晶体管和输出器,其中,信号产生器从外部接收激励数据,响应于激励数据输出激励输入信号到激励电路,金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极接收激励输入信号,金属氧化物半导体场效应晶体管的源极接地,金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极输出激励内部信号,输出器将激励内部信号进行升压和调谐,将升压和调谐后的激励内部信号作为激励信号输出到相应的超声波传感器。
搜索关键词: 超声波传感器 阵列 激励 装置
【主权项】:
1.一种超声波传感器阵列的激励装置,包括:信号产生器和多个激励电路,其中,每个激励电路对应于超声波传感器阵列中的一个超声波传感器,激励电路包括:金属氧化物半导体场效应晶体管、分压器和输出器,其中,信号产生器从外部接收激励数据,响应于激励数据输出激励输入信号到激励电路,所述激励数据包括对应于每个超声波传感器的延时时间、波形数据;金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极接收激励输入信号,金属氧化物半导体场效应晶体管的源极接地,金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极输出激励内部信号,输出器包括:升压器,将激励内部信号进行升压,将升压后的激励内部信号作为激励输出信号输出;调谐器,对激励输出信号进行调谐,将调谐后的激励输出信号作为激励信号输出到相应的超声波传感器;信号产生器包括:寄存器组,存储从外部接收到的延迟时间,其中,寄存器组中的每个寄存器对应一个超声波传感器,每个寄存器中存储相应的超声波传感器的激励数据;计数器,进行计时,当计时的时间达到存储的任一超声波传感器的延迟时间时,产生与所述任一超声波传感器相应的使能信号;波形发生器,响应于所述使能信号,根据与所述任一超声波传感器相应的波形数据产生与所述任一超声波传感器相应的激励输入信号,并将产生的激励输入信号输出到与所述任一超声波传感器相应的激励电路;所述分压器用于接收激励输入信号,将接收的激励输入信号进行分压,并将分压后的激励输入信号输出到金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极,所述分压器包括第二电阻器、第三电阻器,第二电阻器的第一连接端连接到信号产生器的输出端,第二电阻器的第二连接端连接到金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极,第三电阻器的第一连接端连接到第二电阻器的第二连接端,第三电阻器的第二连接端连接到金属氧化物半导体场效应晶体管的源级。
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